2月12日，电子发布声明文告，已启动第六代高带宽内存（HBM）芯片HBM4的大边界量产，并已向客户托付商用家具。

在制造工艺上，三星这次选拔了1c工艺（第六代10纳米级DRAM时刻）制造DRAM单位芯片，基板芯片则选拔4纳米逻辑制程。三星执行副总裁兼存储器确立部门负责东谈主Sang Joon Hwang暗意：\"三星未沿用传统的造就盘算推算，而是果敢选拔了起首进的制程工艺。\"

性能参数方面，三星HBM4的数据科罚速率达到每秒11.7 Gbps，超出连合电子器件工程委员会（JEDEC）当作的8 Gbps法式约46%，较上一代HBM3E最高9.6 Gbps的引脚速率普及约22%。单堆栈总内存带宽最高可达每秒3.3 TB，较HBM3E普及2.7倍。在能效与散热方面，HBM4比拟前代家具功耗成果普及40%，开云app登录散热才能提高30%。

据三星电子首席时刻官Song Jai-hyuk披露，HBM4的坐蓐良率\"近况至极好\"，客户对芯片性能\"至极知足\"。

笔据此前报谈，瞻望将在3月16日至19日举行的GTC 2026大会上，展示搭载三星HBM4的下一代东谈主工智能计较平台Vera Rubin。三星虽未公布具体客户称呼，但该家具已被阐明用于英伟达下一代AI平台。

在后续家具主义上，三星暗意HBM4E样品瞻望于2026年下半年启动提供，定制版HBM样品将于2027年笔据客户规格不时托付。三星电子瞻望，2026年HBM家具销售边界将较2025年增长三倍以上，并正积极推行HBM4产能。

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本文源自：阛阓资讯

作家：不雅察君